三星电子推倒“半导体摇欧亿篮”器兴 SR5，计划原地建设尖端研发中心

IT之家 2 月 4 日消息，星电兴S心据韩国媒体 hankyung 报道，推倒体摇三星电子目前已在拆除器兴园区内的半导欧亿 SR5 先进研究中心，计划在这一对三星半导体事业有着重大意义的篮器建筑的原址建设新的尖端研发设施。

SR5 的划原历史最早可以追溯到三星首任掌门人李秉喆尚在的 1987 年，三星 1992 年在这里开发出了全球首款 64Mb DRAM，地建端研该产品为三星登顶世界存储芯片领域发挥了关键作用，设尖此外三星的发中生物、显示部门也曾在此办公。星电兴S心欧亿

SR5 综合体地下 1 层地上 7 层，推倒体摇总建筑面积达 78500m²。半导三星电子如今认为其过于老旧，篮器无法满足 1nm 逻辑制程、划原尖端内存工艺开发的地建端研需求，因此选择拆除现有建筑，设尖在该地块建设两个超大型办公和研究中心。

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